陝西省・西安高新技術産業開発区のサムスン電子西安工場で10日、第2期プロジェクト前期の半導体メモリ製品がラインオフされた。20年3月の量産を目指し、第2期の前期は2018年3月に着工。世界最高レベルの技術を持ち込み、NAND型フラッシュメモリの生産に乗り出した。今年8月のフル稼働を予定する。

　投資総額150億米ドル（約1兆5800億円）の第2期プロジェクトは、前期と後期に分けて整備する計画。投資額は前期が70億米ドル、後期が80億米ドルに設定する。

　19年末着工の後期は、21年下半期の完工を想定した。前期と後期が量産態勢に入ると、12インチウェーハの加工能力が毎月13万枚積み増される。年産額は300億人民元（約4510億円）拡大すると予想した。約1000人の新規雇用を見込む。

　全額出資の現地子会社である三星（中国）半導体有限公司を通じ、フラッシュメモリ・DRAM世界最大手の韓国サムスン電子は、第1期の工場整備プロジェクトを2012年9月2日に始動。108億米ドルの投資を実行した。

　稼働中の第1期（108億米ドル）と今回の第2期を合わせ、サムスン電子による西安に対する現地投資額は総額258億米ドルにまで膨らむ計算。自社の海外投資で最大規模となる。

　西安の第1期、第2期生産能力を合算すると、自社フラッシュメモリ世界生産能力の40％を占める規模にまで拡大する。3年かけて大幅増産を継続し、業界下位や新規参入のメーカーを引き離す戦略だ。



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