ニュース 2020/06/22 18:59
中国:長江存儲の「3D NANDフラッシュ」第2期、湖北省武漢で着工
産業・企業
清華紫光集団(Unigroup)傘下の半導体メモリ企業が20日、湖北省武漢市で生産拠点整備の第2期プロジェクトを着工した。紫光集団、国家集成電路基金、湖北省科技投資集団有限公司、湖北省集成電路基金が共同で投資し、まず土木工場から着手する。事業母体の長江存儲科技有限責任公司(長江存儲、YMTC)を通じ、武漢市の東湖新技術産業開発区に大規模な三次元(3D)NAND型フラッシュ生産拠点を整備する計画だ。2インチウェーハ対応工場を整備したうえで、最高レベルの高性能メモリを量産する。中国新聞網などが伝えた。
長江存儲は第2期と第3期のプロジェクトを矢継ぎ早に推進する計画。12インチウェーハ対応工場3カ所(第1期、第2期、第3期)がすべて稼働すれば、月産能力は合計30万枚にまで膨れ上がる。投資総額は240億米ドル(約2兆5700億円)を想定した。
すでに第1期プロジェクトは現地で稼働中。2016年末に着工し、足もとで32層と64層のNANDフラッシュメモリで安定生産を達成した。自社最先端、かつ世界最先端と並ぶ128層メモリに関しても、少量の生産能力を確保している。
2016年7月に発足した長江存儲は、武漢新芯集成電路製造(XMC)を前身とする。グローバル企業の技術協力を得て、中国初の三次元NAND型フラッシュを17年10月に生産。データ書き込み・読み込みのI/O性能を大幅に高めた独自技術「XtackingTM」を導入した。
国策投資会社の紫光集団は、ICメモリ投資に積極的。江蘇省南京市(3D NAND、DRAM)、四川省成都市(ロジックIC、DRAM)でも大規模なメモリ工場を相次ぎ着工した。さらに重慶市(DRAM)、広東省広州市でもメモリ投資を進める意向。19年4月3日までに、広州高新技術産業開発区、黄浦区の現地政府と「広州半導体メモリ・プロジェクト」で協力することで覚書に調印した。
内容についてのお問い合わせは<info@ashuir.com>まで。
長江存儲は第2期と第3期のプロジェクトを矢継ぎ早に推進する計画。12インチウェーハ対応工場3カ所(第1期、第2期、第3期)がすべて稼働すれば、月産能力は合計30万枚にまで膨れ上がる。投資総額は240億米ドル(約2兆5700億円)を想定した。
すでに第1期プロジェクトは現地で稼働中。2016年末に着工し、足もとで32層と64層のNANDフラッシュメモリで安定生産を達成した。自社最先端、かつ世界最先端と並ぶ128層メモリに関しても、少量の生産能力を確保している。
2016年7月に発足した長江存儲は、武漢新芯集成電路製造(XMC)を前身とする。グローバル企業の技術協力を得て、中国初の三次元NAND型フラッシュを17年10月に生産。データ書き込み・読み込みのI/O性能を大幅に高めた独自技術「XtackingTM」を導入した。
国策投資会社の紫光集団は、ICメモリ投資に積極的。江蘇省南京市(3D NAND、DRAM)、四川省成都市(ロジックIC、DRAM)でも大規模なメモリ工場を相次ぎ着工した。さらに重慶市(DRAM)、広東省広州市でもメモリ投資を進める意向。19年4月3日までに、広州高新技術産業開発区、黄浦区の現地政府と「広州半導体メモリ・プロジェクト」で協力することで覚書に調印した。
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