【亜州ビジネス編集部】中国政府は第3世代半導体の研究開発（R＆D）と生産に10兆人民元（約169兆円）の投資を決定した。第14次5カ年計画（2021〜25年）にも盛り込んでおり、今後5年間を同分野の発展のための鍵となる時期と位置付けている。ブルームバーグの報道として、3日付台湾・経済日報が報じた。　
　科学技術部、工業和信息化部（工業情報化部）、ハイテク研究機関、大学・専科学校、分野の首位企業で組織された「第3世代半導体産業技術創新戦略連盟（CASA）」が今年6月に発表した「第3世代半導体産業発展報告2020」によると、中国の2020年の第3世代半導体産業の生産額は7100億人民元に上る。この大部分を占める半導体照明産業は、新型コロナウイルスの流行の影響を受けて前年比7.1％減の7013億人民元に落ち込んだ。一方、炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）の電力電子産業は54％増の44億7000万人民元。GaNマイクロ波・高周波産業は80.3％増の60億8000万人民元に拡大している。
　第3世代半導体では、◆中芯国際集成電路製造（SMIC：981/HK）、◆上海韋爾半導体（ウィル・セミコンダクター：603501/SH）、◆江蘇卓勝微電子（マックスセンド・マイクロエレクトロニクス：300782/SZ）、◆北京天科合達半導体股フン有限公司（タンケブルー・セミコンダクター）、◆河北同光晶体有限公司（フーベイ・サンライト・クリスタル）、◆泰科天潤半導体科技（北京）有限公司（グローバル・パワー・テクノロジー）、◆三安光電（サンアン・オプトエレクトロニックス：600703/SH）、◆英諾賽科蘇州半導体有限公司（イノサイエンス）──など、各分野の大手企業が相次いで生産拡大に乗り出した。第3世代半導体産業が拡張期に入ったことを示している。
　第3世代半導体の代表的な化合物、GaN、SiCは、第1世代のシリコンやゲルマニウムなどと比べて放熱効率が高く、高電圧、高電流への耐性が優れるなどの特性を持つ。このため、第5世代（5G）通信基地局や電気自動車（EV）、軌道交通などの用途に応用されるケースが多い。



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