南京華瑞微集成電路有限公司（hr-micro）はこのほど、安徽省ジョ州南ショウ区（ジョはさんずいに除、ショウは言べんに焦）で半導体パワーデバイス工場を着工した。投資総額は30億人民元（約470億円）で、同区の浦口・南ショウ合作産業園区で初の新規事業プロジェクトとなる。DRAMエクスチェンジが10月30日報じた。
　このうち投資額10億人民元の第1期は、パワーデバイスを生産する6インチウェーハ対応工場を設置する。用地面積100ムー（約6.7ヘクタール）、建設周期は3年で、量産後の年間販売額は10億人民元を見込んだ。
　南京華瑞微は2018年5月の創立で、パワーデバイスの研究開発（R&D）、生産、販売、サービスを手掛けている。製品は高電圧VDMOS、低電圧トレンチMOS、スーパージャンクションMOSとシリコンゲートテクノロジー（SGT）MOSなど。炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）などの第3世代半導体のR&Dも進めている。
　



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