安徽省合肥市長豊県の双鳳経済開発区でこのほど、第3世代パワー半導体（炭化ケイ素、SiC）産業園が着工された。投資総額100億人民元（約1600億円）で、88ムー（約5.9ヘクタール）の敷地を3期に分けて開発する。今年8月に同事業の計画を発表した半導体素材メーカーの露笑科技（002617/SZ）が、合肥北城資本管理有限公司、長豊四面体新材料科技中心（有限パートナー）と共同で設立した合肥露笑半導体材料有限公司が推進主体となる。DRAMエクスチェンジが1日報じた。

　第1期の投資額は21億人民元で、量産段階でSiCウェーハ21万枚とエピタキシャルウェーハ5万枚の年産能力を確保する。第2期の投資額は39億人民元で、6インチエピタキシャルウェーハと8インチウェーハ各10万枚の生産能力を補充する。第3段階の投資額は40億人民元で、8インチのエピタキシャルウェーハ10万枚、15インチウェーハ15万枚の生産能力をさらに追加する。



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