【亜州ビジネス編集部】ファウンドリ世界最大手の台湾積体電路製造（TSMC：2330/TW）は2日、4ナノメートル（nm）プロセスの試験生産を今年第3四半期に前倒して開始すると技術フォーラムで表明した。当初は第4四半期を予定していた。台湾・経済日報が2日報じた。

　4nmは昨年量産を開始した5nmと同系統。フォトマスク層を減らし、5nmとほぼ互換性を持たせたことで、性能向上と消費電力の改善、トランジスタ密度の増大を実現した。

　一方、3nmについては、予定通り2022年下半期に量産に入ると説明した。信頼性の高い立体構造トランジスタ（FinFET）アーキテクチャを導入する。5nm比で処理速度が15％向上し、消費電力が30％改善、ロジック密度が70％増大するという。

　同フォーラムではまた、6nm高周波（RF）プロセスも初めて発表した。第5世代（5G）RFやWi-Fi6/6Eのソリューションに応用される。前世代の16nmRF技術と比べて処理能力を16％向上させた。



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