江蘇省南部の無錫市が半導体産業団地の整備支援に乗り出した。すでに化合物半導体工場向けの投資事業を誘致している。先導集団（先導智能：300450/SZなどの親会社）が無錫国家高新技術産業開発区（無錫高新区）内に総面積700ムー（約46.7ヘクタール）の工業用地を確保した。150億人民元（約2370億円）の投資予算を組んだうえで、「無錫先導集成電路装備・材料産業園プロジェクト」を3期に分けて整備する計画。これらの投資契約は21日に交わされている。無錫高新区政府が24日に報告した。

　無錫高新区に本部ビル、特殊IC設計エリア、専用設備生産基地、ハイエンド素材エリア、特殊製造プロセスエリアを建設する。5年後をめどに、半導体製造装置、重要素材、原材料の中国先進地になるという目標を定めた。

　同半導体産業団地ではまた、1件目の新規投資案件として「呉越半導体窒化ガリウム（GaN）基盤・チップ製造プロジェクト」が進められている。投資額は37億人民元を見込んだ。50ムーの工業用地を利用し、GaN単結晶基板、GaN-On-GaNパワー半導体、高周波デバイスを量産する。本格稼働時の年産額30億人民元を想定した。


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