ニュース 2020/06/09 18:59
中国:武漢新芯「NORフラッシュ」、回路線幅50nmに微細化
産業・企業
中国の新興半導体メーカー1社が新たに「SPI NORフラッシュメモリ」の量産に乗り出した。清華紫光集団(Unigroup)傘下の武漢新芯集成電路製造有限公司(XMC)は4日、回路線幅50ナノメートル(nm)製造プロセスを導入したうえで、SPI NORフラッシュメモリ量産に着手したと発表。世界のライバルメーカーに遅れをとらず、回路線幅を物理的な上限の65→50nmにまで微細化したと報告している。湖北日報が9日付で伝えた。
動作可能電圧は1.65〜3.60ボルト。動作速度は133メガヘルツに達し、零下40度から摂氏105度まで使用できる。10万回のデータ書き替えを可能とし、保存期間は20年間に及ぶ。
内容についてのお問い合わせは<info@ashuir.com>まで。
動作可能電圧は1.65〜3.60ボルト。動作速度は133メガヘルツに達し、零下40度から摂氏105度まで使用できる。10万回のデータ書き替えを可能とし、保存期間は20年間に及ぶ。
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