半導体開発を手掛ける中国のベンチャー企業が新たな高性能NOR型Flashメモリを開発した。海外帰国者らが創業した合肥恒爍半導体科技公司（ZBIT SEMI）は先ごろ、回路線幅50ナノメートル（nm）で容量128MbのNOR型Flashを開発。湖北省武漢市の武漢新芯集成電路製造(XMC)に生産を委託し、足もとで量産に乗り出した。今年第2四半期から顧客企業向けに正式出荷する。江淮晨報が15日までに伝えた。
　既存の回路線幅65nmNOR型Flashより消費電力を30〜50％も軽減する。2021年をめどに、50nmのNOR型Flashに全面的に切り替える予定だ。IoT関連機器向の需要が急拡大しているという。
　恒爍半導体科技は2015年2月に合肥市で発足。上海浦東高科技園区に研究センターを構えた。中国科学技術大学の先進技術研究院にも、三次元（3D）NAND型Flashメモリの開発ラボと計測センターを擁する。複数の半導体メーカーとNAND、NOR、EEPROM、その他新型メモリの共同開発に着手した。
　回路線幅65ナノメートルのNOR6種類を開発している。65nm製品の出荷量は過去3年来で累計10億個を超えた。ウエアラブル端末、携帯端末、パソコン、スマートスピーカー、電子ゲーム、デジタルカメラ、セットトップボックス、家電などに幅広く搭載された。


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